RB481Y-90T2R【PDF 1/4 页】DIODE SCHOTTKY 90V 100MA 4EMD TR

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Data Sheet

www.rohm.com

Schottky Barrier Diode

RB481Y-90

?Applications

?Dimensions (Unit : mm)

?Land size figure (Unit : mm)

Low current rectification

?Features

1) Ultra small mold type. (EMD4)

2) Low VF

3) High reliability

?Construction

Silicon epitaxial planar

?Structure

?Taping specifications (Unit : mm)

?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Symbol UnitLimits

VRM

Io mA100

IFSM

Tj °C125

Tstg °C?40 to ?125

?Electrical characteristics (Ta=25°C)

Symbol Min. Typ. Max. Unit

Forward voltage

- 0.55 0.61 V IF=100mA

- 20 100

μA

VR=90V

Parameter

Reverse current

Conditions

Storage temperature

(*1) Rating of per diode

Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*1)

Junction temperature

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

EMD4

0.5

0.45

1.0

1.55

1.7±0.051.65±0.1

4.0±0.1

2.0±0.05

φ1.5±0.1

3.5±0.05

1.75±0.1

8.0±0.2

φ0.8±0.1

5.5±0.2

1.65±0.1

0.65±0.1

0.3±0.1

0～0.1

1PIN

1.65±0.01

ROHM : EMD4

JEITA : SC-75A Size

dot (year week factory)

0.13±0.05

0.5±0.05

0～0.1

(1)

(2)

(4)

(3)

0.5

1.0±0.1

0.22±0.05

1.6±0.051.6±0.1

1.2±0.1

1.6±0.1

1.6±0.05

1/3

2011.05 - Rev.C

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